RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 1, страницы 156–159 (Mi ftt11871)

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XXII Международное совещание по использованию рассеяния нейтронов в исследованиях конденсированного состояния (РНИКС-2012) г. Санкт-Петербург, г. Зеленогорск (15-19 октября 2012 г.)
Функциональные материалы

Использование реакторных нейтронов для исследования радиационной стойкости полупроводниковых материалов группы III–V и сенсоров

И. А. Большаковаa, С. А. Куликовb, Р. Ф. Коноплёваc, В. А. Чекановc, И. С. Васильевскийd, Ф. М. Шурыгинa, Е. Ю. Макидоa, I. Durane, А. П. Морозa, А. П. Штабалюкa

a Национальный университет ``Львовская политехника''
b Объединенный институт ядерных исследований, г. Дубна Московской обл.
c Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт"
d Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", г. Москва
e Institute of Plasma Physics AS CR, Association EURATOM/IPP.CR, Prague, Czech Republic

Аннотация: Исследование радиационной стойкости полупроводниковых материалов группы III–V является важной и актуальной задачей. Магнитные сенсоры на основе радиационно стойких полупроводниковых материалов широко используются в магнитоизмерительных комплексах термоядерных промышленных и экспериментальных реакторов. Представлены основные подходы к исследованию полупроводниковых материалов в условиях нейтронного облучения, а также результаты некоторых экспериментов по испытанию индийсодержащих полупроводниковых материалов InSb, InAs и их твердых растворов InAs$_x$Sb$_{1-x}$. Представленный опыт разработки аппаратуры для online тестирования материалов и сенсоров магнитной диагностики в радиационных условиях может быть использован для тестирования широкого круга материалов в условиях, приближенных к условиям ITER и других термоядерных реакторов.


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:1, 157–160

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025