Аннотация:
Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы температурные зависимости компонент мягкой сегнетоэлектрической моды $A_1$ (2TO) и $E$ (1TO) при фазовых переходах в монокристалле, керамике, поликристаллической и эпитаксиальной тонких пленках титаната бария, а также сверхрешетки, состоящей из чередующихся слоев титанатов бария и стронция. В монокристалле наблюдались резкие изменения частот мягких мод при фазовых переходах между тетрагональной, орторомбической и ромбоэдрической фазами. В керамике и поликристаллической пленке наблюдалось сглаживание температурных зависимостей мягких мод и сосуществование фаз. В эпитаксиальной пленке последовательность структурных превращений кардинально отличается от наблюдаемой в монокристалле, а в сверхрешетке сегнетоэлектрическая фаза стабильна вплоть до 550 K.