Временна́я динамика примесной фотопроводимости в $n$-GaAs и $n$-InP

Вычислена динамика примесной фотопроводимости в $n$-GaAs и $n$-InP при фотовозбуждении коротким световым импульсом. Показано, что динамика фотопроводимости в наносекундном интервале времен определяется процессами остывания электронов, а роль каскадного захвата электронов на примесь незначительна в этом интервале. Предсказана немонотонная зависимость фотопроводимости от времени, обусловленная конкуренцией между различными механизмами релаксации импульса электрона.