Влияние механических напряжений на диэлектрическую проницаемость Rb$_{2}$ZnCl$_{4}$–сегнетоэлектрика с несоразмерной фазой

Исследовано аномальное поведение диэлектрической проницаемости $\varepsilon_{yy}$ кристаллов Rb$_{2}$ZnCl$_{4}$ в окрестности температуры $T_{c}$ перехода из несоразмерной ($H$-фазы) в полярную фазу при воздействии одноосных механических напряжений. Показана возможность управления диэлектрическими свойствами кристалла с помощью механических напряжений. Показано также, что специфические эффекты термической и механической памяти, проявляющиеся в различных электромеханических свойствах, и аномальный температурный гистерезис $\varepsilon_{yy}$ механически свободного кристалла в $H$-фазе имеют единую природу и, по-видимому, обусловлены закреплением солитонной структуры на дефектах.