RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2014, том 56, выпуск 6, страницы 1060–1063 (Mi ftt12018)

Эта публикация цитируется в 3 статьях

Диэлектрики

Влияние нестехиометрии состава на проводимость кристаллов LiNaGe$_4$O$_9$

М. Д. Волнянский, М. П. Трубицын, О. А. Бибикова

Днепропетровский национальный университет имени Олеся Гончара, Днепропетровск, Украина

Аннотация: Электропроводность $\sigma$ кристаллов Li$_{2-x}$Na$_x$Ge$_4$O$_9$ ($x$ = 1, 0.5, 0.2) исследована в переменном поле на частоте 1 kHz в диапазоне температур 300–800 K. Для кристаллов состава $x$ = 1 при $T>$ 500 K обнаружена значительная анизотропия электропроводности. Показано, что с изменением состава от $x$ = 1 до $x$ = 0.2 вдоль определенных кристаллографических направлений $\sigma$ возрастает более чем на три порядка. Полученные результаты обсуждаются с учетом особенностей структуры исследуемых кристаллов. Предполагается, что основными носителями заряда являются междоузельные ионы Li, мигрирующие вдоль каналов каркасной структуры кристаллов Li$_{2-x}$Na$_x$Ge$_4$O$_9$.

Поступила в редакцию: 05.12.2013


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2014, 56:6, 1101–1104

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025