Наноиндентирование аморфных пленок системы Ge–As–Se

Исследовано изменение нанотвердости $H$ и модуля Юнга $E$ пленок Ge$_x$As$_y$Se$_{100-x-y}$ в зависимости от глубины отпечатка индентора Берковича. Измерения $H$ и $E$ проведены в режиме гармонической модуляции линейно возрастающей нагрузки на индентор. Показано, что изменения $E$ и $H$ исследованных пленок в процессе индентирования обусловлены особенностями их упругопластического поведения, формированием деформационных зон в области наноконтакта, а также размерными эффектами.