Влияние слабого магнитного поля на микропластичность кристаллов кремния

Теоретически исследуется возможность формирования магнитного упорядочения на оборванных связях в ядре дислокации. Экспериментально показано, что магнитное упорядочение на дислокациях влияет на спин-зависимые эффекты, протекающие в дислокационных кристаллах кремния. Установлено, что предварительная магнитная обработка кристаллов Si в слабом магнитном поле приводит к гашению электропластического эффекта, возникающего в кристаллах кремния при возбуждении их током. Предполагается, что изменение микропластичности при комбинированном воздействии магнитного и электрического тока вызвано ослаблением канала спин-зависимой рекомбинации на дислокационных оборванных связях.