Электронные свойства сверхтонких пленок на основе молекул пирролофуллерена на поверхности окисленного кремния

Приведены результаты исследования формирования интерфейса в процессе осаждения пленок на основе молекул азиридинилфенилпирролофуллерена (АФП-C$_{60}$) толщиной до 8 nm на поверхность подложки окисленного кремния. Использована методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока при изменении энергии падающего электрона от 0 до 25 eV. Установлена структура максимумов в спектрах полного тока пленок АФП-C$_{60}$, определен характер взаимосвязи этих максимумов с $\pi^*$- и $\sigma^*$-энергетическими зонами в исследованных материалах. В результате анализа изменения интенсивностей спектров полного тока, исходящих от осаждаемой пленки АФП-C$_{60}$ и от подложки (SiO$_2$)$n$-Si, обнаружено, что пленка АФП-C$_{60}$ формируется на ранней стадии осаждения при толщине покрытия менее одного монослоя без формирования промежуточного модифицированного органического слоя. По мере формирования интерфейса АФП-C$_{60}$/(SiO$_2$)$n$-Si происходит увеличение работы выхода поверхности на 0.7 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки (SiO$_2$)$_n$-Si в сторону пленки АФП-C$_{60}$. Измерены спектры оптического поглощения пленок АФП-C$_{60}$, проведено их сравнение со спектрами пленок незамещенного C$_{60}$.