Эффект структурирования гетероэпитаксиальных систем CdHgTe/CdZnTe при облучении ионами серебра

Методом рентгеновской дифрактометрии, а также атомной силовой и электронной микроскопии получены характеристики нарушенного слоя гетероструктур $p$-Cd$_x$Hg$_{1-x}$Te/CdZnTe ($x\sim$ 0.223) после имплантации ионами серебра с энергией 100 keV и дозой имплантации $Q$ = 3.0 $\cdot$ 10$^{13}$ cm$^{-2}$. Oбнаружено, что в результате ионной имплантации и последующего отжига (75$^\circ$С) на поверхности образцов Hg(Cd)Te/Zn(Cd)Te формируется однородный массив наноструктур. Рентгеновские исследования спектров структурированного образца Hg(Cd)Te/Zn(Cd)Te указывают на образование в приповерхностной ($<$ 100 nm) области базового материала фаз поликристаллического Hg(Cd)Te кубической структуры c составом $x\sim$ 0.20, а также оксида Ag$_2$O. Для объяснения наблюдаемых эффектов трансформации дефектно-примесной системы и структурирования поверхности гетероэпитаксиальной пленки узкозонного полупроводника привлекается деформационная модель.