Прохождение электронов низких энергий через ультратонкие слои оксида фталоцианина олова

Приведены результаты исследования прохождения электронов низких энергий через пленки оксида фталоцианина олова (IV) (SnOPc) толщиной до 8 nm на поверхности подложки окисленного кремния. Использована методика регистрации отражения от поверхности тестирующего пучка медленных электронов, реализованная в режиме спектроскопии полного тока (СПТ) при изменении энергии падающего пучка электронов от 0 до 25 eV. Установлена структура максимумов в спектрах полного тока пленок SnOPc, проведен анализ изменения интенсивностей максимумов спектров полного тока, исходящих от осаждаемой пленки SnOPc и от подложки (SiO$_2$)$n$-Si в процессе увеличения толщины органического покрытия до 8 nm. При таком увеличении толщины органического покрытия происходит увеличение работы выхода поверхности на 0.7 eV, что соответствует переносу электронной плотности от подложки (SiO$_2$)$n$-Si к пленке SnOPc. Измерены спектры оптического поглощения пленок SnOPc. Проведено сравнение спектров поглощения и спектров, измеренных методом СПТ, для пленок SnOPc и пленок молекул бескислородного металлофталоцианина.