Влияние легирующих атомов Cr на диэлектрические свойства кристаллов ZnSe, выращенных из расплава

В низкочастотной области измерены частотные и температурные зависимости действительной и мнимой частей диэлектрической проницаемости легированных Cr ($n_{\mathrm{Cr}}\simeq$ 10$^{18}$ cm$^{-3}$) кристаллов ZnSe, выращенных из расплава. Установлено, что такое легирование понижает неоднородность диэлектрических свойств и уровень потерь энергии переменного электрического поля в кристаллическом слитке. Влияние легирующих атомов на диэлектрические свойства объяснено образованием ассоциатов дефектов с участием этих атомов и собственных дефектов кристалла.