Теплопроводность моноизотопного монокристаллического $^{29}$Si в интервале температур 2.4–410 K

В интервале температур 2.4–410 K проведены измерения температурной зависимости теплопроводности $\kappa(T)$ монокристалла кремния, высокообогащенного по изотопу $^{29}$Si (99.919%). При низких температурах ($T<$ 6 K) в режиме граничного рассеяния фононов теплопроводность кристалла $^{29}$Si выше, чем кристалла $^{28}$Si (99.983%). В области высоких температур, где теплопроводность определяется ангармоническими процессами рассеяния фононов, величина теплопроводности $^{29}$Si ниже, чем в случае $^{28}$Si. Выводы теории фононной теплопроводности о массовой зависимости величины $\kappa(T)$ согласуются с экспериментальными результатами.