Локализация атомов углерода и протяженные нарушения в кремнии, имплантированном ионами C$^+$, B$^+$ и совместно C$^+$ и B$^+$

Показана возможность управления локализацией внедряемого углерода по узлам и междоузлиям в кремнии непосредственно во время имплантации. Методом просвечивающей электронной микроскопии исследовано образование остаточных протяженных нарушений в кремнии, имплантированном ионами С$^+$, B$^+$ и совместно ионами С$^+$ и В$^+$. Установлено, что формирование остаточных нарушений может быть подавлено благодаря аннигиляции точечных дефектов на атомах C (эффект Воткинса). Положительный эффект достигается при локализации внедряемого углерода по узлам решетки, что обеспечивается его имплантацией с эффективной плотностью тока сканирующего пучка ионов не ниже 1.0 $\mu$A $\cdot$ cm$^{-2}$.