Исследование примесных уровней в тонких поликристаллических пленках SmS

На основании исследования температурных зависимостей электросопротивления тонких поликристаллических пленок SmS (толщина $\sim$0.5 $\div$ 0.8 $\mu$m) в диапазоне температур 4.2 $\div$ 440 K была скорректирована модель зонной структуры данного вещества. Было показано, что основными примесными уровнями в тонких поликристаллических пленках SmS являются уровни, соответствующие локализованным состояниями вблизи дна зоны проводимости, а также примесные донорные уровни $E_i$, соответствующие ионам Sm, находящимся в вакансиях подрешетки S. При этом хвост локализованных состояний простирается до энергии примесных донорных уровней.