Диэлектрические свойства пористых оксидов алюминия и кремния с включениями триглицинсульфата и его модифицированных аналогов

Исследованы температурные зависимости емкости и проводимости композиционных материалов, полученных путем внедрения сегнетоэлектрика ТГС и его аналогов – ТГС с примесями $L$, $\alpha$-аланина и хрома в матрицы пористых Al$_2$O$_3$ и SiO$_2$. Установлено, что процессы проводимости изученных структур связаны с переносом заряда преимущественно через внедренный в пористую матрицу сегнетоэлектрик. Предложен механизм смещения температуры фазового перехода сегнетоэлектрического включения в условиях “ограниченной геометрии”, обусловленный различием коэффициентов теплового расширения пористой матрицы и внедренного сегнетоэлектрика.