П. К. Садовский, А. Р. Челядинский, В. Б. Оджаев, М. И. Тарасик, А. С. Турцевич, Ю. Б. Васильев, “Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы”, Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 6,страницы 1071

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводники

Создание геттера в кремнии путем имплантации ионов сурьмы

П. К. Садовский^a, А. Р. Челядинский^a, В. Б. Оджаев^a, М. И. Тарасик^a, А. С. Турцевич^b, Ю. Б. Васильев^b

^a Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
^b ОАО "ИНТЕГРАЛ", Минск, Белоруссия

Аннотация: В кремнии путем имплантации ионов Sb$^+$ и последующих термообработок создан слой пористого кремния в качестве геттера неконтролируемых примесей. Времена жизни неравновесных носителей заряда в пластинах кремния $n$- и $p$-типа проводимости с геттерным слоем в 3–4 раза выше, чем без геттера.

Поступила в редакцию: 06.12.2012