Эта публикация цитируется в
2 статьях
Магнетизм
Структурная и магнитная неоднородность, фазовые переходы, ЯМР $^{55}$Mn и магниторезистивные свойства керамики La$_{0.6}$Sr$_{0.2}$Mn$_{1.2-x}$Nb$_x$O$_3$
А. В. Пащенкоa,
В. П. Пащенкоab,
В. К. Прокопенкоa,
Ю. Ф. Ревенкоa,
А. С. Мазурa,
В. Я. Сычеваa,
В. В. Бурховецкийa,
Н. Г. Кисельab,
В. П. Комаровb,
А. Г. Сильчеваc a Донецкий физико-технический институт им. А. А. Галкина, г. Донецк
b Научно-исследовательский институт "Реактивэлектрон", Донецк
c Луганский национальный университет им. Т. Шевченко
Аннотация:
Рентгеноструктурным, резистивным, электронно-микроскопическим, магниторезистивным и магнитными (
$\chi_{\mathrm{ac}}$, ЯМР
$^{55}$Mn) методами исследованы керамические образцы La
$_{0.6}$Sr
$_{0.2}$Mn
$_{1.2-x}$Nb
$_x$O
$_3$ (
$x$ = 0–0.3), спеченные при 1260 и 1500
$^\circ$C. Согласование увеличивающегося параметра
$a$ ромбоэдрической
$R\bar3c$ структуры с ее средним ионным радиусом при росте
$x$ и температуры спекания получено для случая, когда решетка содержит анионные, катионные вакансии и наноструктурные кластеры. Повышение удельного сопротивления и понижение температур фазовых переходов металл-полупроводник
$T_{\mathrm{ms}}$ и ферромагнетик-парамагнетик
$T_C$ при росте
$x$ и температуры спекания объяснены уменьшением количества ферромагнитной фазы, изменениями соотношения Mn
$^{3+}$/Mn
$^{4+}$, кислородной нестехиометрии и концентрации дефектов, ослабляющих высокочастотный электронный обмен Mn
$^{3+}$ $\leftrightarrow$ Mn
$^{4+}$. Наличие наноструктурных кластеров подтвердил аномальный гистерезис, обусловленный однонаправленной обменной анизотропией взаимодействия между ферромагнитной матрицей и антиферромагнитным кластером с Mn
$^{2+}$ и Nb
$^{3+}$ в искаженных
A-позициях. Широкие асимметричные спектры ЯМР
$^{55}$Mn и их компьютерное разложение свидетельствуют о высокочастотном электронном обмене и неоднородности магнитных и валентных состояний марганца вследствие неравномерности распределения всех ионов и дефектов. Наблюдается два вида магниторезистивного эффекта. Один – вблизи температур фазовых переходов
$T_C$ и
$T_{\mathrm{ms}}$ – связан с рассеянием на внутрикристаллитных наноструктурных неоднородностях дефектной перовскитовой структуры. Другой – в низкотемпературной области – обусловлен туннелированием на мезоструктурных межкристаллитных границах. Фазовая диаграмма характеризует сильную корреляционную взаимосвязь между составом, структурой, резистивными и магнитными свойствами в редкоземельных манганитах.
Поступила в редакцию: 07.11.2012