Фотовольтаические свойства гетероперехода на основе пленок фталоцианина меди на поверхности поликристаллического сульфида кадмия

Обнаружен и исследован фотовольтаический эффект в тонкопленочных структурах на основе термически осажденных пленок фталоцианина меди (CuPc) толщиной 200 nm на поверхности поликристаллического CdS. Исследованные структуры демонстрировали вольт-амперные характеристики линейного вида при внешних напряженностях электрического поля до 3.5 $\cdot$ 10$^4$ V/cm. Обнаружены две компоненты фотоэдс разного знака при освещении образца в диапазоне длин волн от 350 до 700 nm. Первая компонента имела положительный знак со стороны пленки CuPc и была обнаружена при использовании излучения с длиной волны менее 500 nm, т. е. в условиях преимущественного поглощения излучения в слое CdS. Вторая компонента имела отрицательный знак со стороны пленки CuPc и наблюдалась при использовании излучения с длиной волны в диапазоне от 500 до 570 nm, соответствующем спектральной области края поглощения пленок CuPc. Зависимости фотоэдс от интенсивности излучения, исследованные в диапазоне от 5 $\cdot$ 10$^{12}$ до 10$^{14}$ photons $\cdot$ cm$^{-2}$ s$^{-1}$, различаются для случаев двух обнаруженных компонент. Предложены механизмы возникновения компонент фотоэдс, связанные с изменением изгиба зон при фотогенерации носителей заряда в области пространственного заряда CdS и с изменением условий переноса заряда в пограничной области CuPc/CdS при поглощении излучения в пленке CuPc.