Аннотация:
В системе Ag$_2$GeS$_3$–AgBr закалкой расплавов получены стекла в интервале 0–53 mol.% AgBr. Установлены концентрационные зависимости плотности, микротвердости, температур стеклования и кристаллизации сплавов. На постоянном токе, зондовым методом, исследована электропроводность стекол в интервале 240–420 K. Предложены модели дрейфового движения ионов серебра и галогена.