RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2013, том 55, выпуск 8, страницы 1510–1523 (Mi ftt12510)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Полупроводники

Спин-зависимое внутри- и междолинное электрон-фононное рассеяние в германии

Z. Liua, М. О. Нестоклонb, J. L. Chengc, Е. Л. Ивченкоb, M. W. Wua

a Hefei National Laboratory for Physical Sciences at Microscale and Department of Physics, University of Science and Technology of China, Hefei, Anhui, China
b Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
c Department of Physics and Institute for Optical Sciences, University of Toronto, Toronto, Ontario, Canada

Аннотация: Теоретически исследовано спин-зависимое электрон-фононное рассеяние в долинах $L$ и $\Gamma$ в кристаллах германия. С этой целью построен $\mathbf{k}\cdot\mathbf{p}$-гамильтониан 16 $\times$ 16, корректно описывающий электронную дисперсию в окрестности $L$-точки германия в нижних зонах проводимости и верхних валентных зонах. Этот гамильтониан упрощает анализ спин-зависимых свойств электронов проводимости. Затем последовательно рассматривается рассеяние электронов на фононах внутри долин $L$ и $\Gamma$, между долинами $L$ и $\Gamma$ и между различными долинами $L$. На основе метода инвариантов для каждого типа процессов строится матрица рассеяния, разложенная по степеням волновых векторов электрона, отсчитанных от центров долин. С помощью метода псевдопотенциала найдены численные коэффициенты в этих матрицах. Проанализированы парциальные вклады механизмов Эллиота и Яфета в спин-зависимое рассеяние электронов. Полученные результаты могут быть использованы для изучения оптической ориентации и релаксации горячих электронов в германии.

Поступила в редакцию: 31.01.2013


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2013, 55:8, 1619–1634

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2025