Теория поляронного эффекта в циклотронном резонансе в двумерном электронном газе

На основе формулы Кубо для комплексной электропроводности развита теория циклотронного резонанса в двумерном электронном газе в приповерхностном слое полупроводника. В сильном магнитном поле уровни энергии в потенциальной яме оказываются дискретными с бесконечно кратным вырождением. Рассмотрен поляронный эффект в случае, когда циклотронная частота близка к частоте объемного $LO$-фонона. Тогда уровни энергии системы расщепляются электрон-фононным взаимодействием. Учтена непараболичность исходной зоны проводимости и статическое экранирование. Рассчитанные зависимости циклотронной эффективной массы от магнитного поля удовлетворительно согласуются с данными эксперимента в инверсионном слое InSb и гетероструктуре AlGaAs$-$GaAs. Учтено последовательное заполнение уровней Ландау как функция магнитного поля. Это позволило объяснить наблюдающиеся скачки на кривых зависимости резонансной частоты и циклотронной эффективной массы от магнитного поля в гетероструктуре, как связывание новых уровней электрон-фононным взаимодействием с одновременным исчезновением этой связи для расположенных ниже уровней.