Аннотация:
В рамках метода Кона–Шема и предложенной нами ранее модели с учетом сил изображения и зоны проводимости диэлектрика выполнены самосогласованные вычисления профилей потенциалов, работ выхода и барьеров Шоттки для нанопленок алюминия с идеальными интерфейсами вакуум/Al(111)/SiO$_3$, вакуум/Al(111)/Al$_2$O$_3$ и сандвича SiO$_2$/Al(111)/Al$_2$O$_3$.