Точечные дефекты и усиление в активных слоях InGaAs/AlGaAs-гетероструктур

Определены значения уровней энергии в запрещенной зоне In$_x$Ga$_{1-x}$As для вакансий галлия и мышьяка, а также для примеси кремния в зависимости от содержания индия. Проведена оценка влияния дефектов на величину мощности генерации и оптимальное значение коэффициента отражения выходного зеркала лазерных диодных линеек (ЛДЛ) на основе In$_{0.11}$Ga$_{0.89}$As/AlGaAs-гетероструктур. Показано, что для ЛДЛ, в активном слое которых присутствуют дефекты с глубоким положением энергетического уровня в запрещенной зоне, мощность генерации существенно ниже (при прочих равных условиях), чем для ЛДЛ, имеющих в активном слое дефекты с мелкими уровнями.