Кинетические свойства тонких пленок ТiN, полученных методом реактивного магнетронного распыления

Представлены результаты исследований кинетических свойств тонких пленок TiN, полученных методом реактивного магнетронного распыления на постоянном токе. Установлено, что тонкие пленки ТiN являются поликристаллическими и обладают полупроводниковым $n$-типом проводимости. Концентрация носителей заряда составляет $\sim$10$^{22}$ cm$^{-3}$, а рассеяние электронов происходит на ионизированных атомах титана.