Фотоиндуцированные изменения импеданса и проводимости пленок CuInSe$_2$ в зависимости от технологии их синтеза

Методом управляемой селенизации были синтезированы пленки CuInSe$_2$ с халькопиритной структурой. Установлено, что температура селенизации $(T_{\mathrm{sel}})$ является критическим параметром, определяющим морфологию и электрофизические свойства пленок. Найдена нелинейная вольт-амперная характеристика, обусловленная электрической неоднородностью материала. Определена оптимальная $T_{\mathrm{sel}}$ = 350$^\circ$C, при которой наблюдается максимальный фотоэффект и наибольшее время релаксации. При $T_{\mathrm{sel}}<$ 300$^\circ$C обнаружено фотоиндуцированное изменение импеданса.