В. В. Крутов, Э. А. Засовин, В. Г. Михалевич, А. С. Сигов, А. А. Щука, “Биимпульсная гетеротермальная технология формирования доменных структур в сегнетоэлектриках”, Физика твердого тела, 2012, том 54, выпуск 5,страницы 908

Эта публикация цитируется в 4 статьях

XIX Всероссийская конференция по физике сегнетоэлектриков (ВКС-XIX) Москва (19-23 июня 2011 года)

Биимпульсная гетеротермальная технология формирования доменных структур в сегнетоэлектриках

В. В. Крутов^a, Э. А. Засовин^a, В. Г. Михалевич^b, А. С. Сигов^a, А. А. Щука^a

^a Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики, Москва, Россия
^b Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, г. Москва

Аннотация: Предложена технология формирования одномерных и двумерных доменных структур с помощью интерферирующих волн (электромагнитных или акустических) и однородного электрического поля. Технология позволяет осуществлять перестройку пространственного периода структуры в процессе еe эксплуатации путeм изменения частоты интерферирующих волн, а также соответствующих углов их падения на кристалл. Показано, что продолжительность технологического цикла незначительно превышает время переключения доменов. Технология применима к кристаллам LiNbO$_3$, KTiOPO$_4$ (с высоким содержанием калия) и некоторым другим.