Общие закономерности магниторезистивных эффектов в поликристаллических иттриевой и висмутовой системах ВТСП

Изучено влияние термомагнитной предыстории на поведение резистивного перехода $R(T)$ во внешних магнитных полях поликристаллических YBa$_2$Cu$_3$O$_7$, Bi$_{1.8}$Pb$_{0.3}$Sr$_{1.9}$Ca$_2$Cu$_3$O$_x$, а также текстуры Bi$_{1.8}$Pb$_{0.3}$Sr$_{1.9}$Ca$_2$Cu$_3$O$_x$ + Ag. Обнаружено, что для YBa$_2$Cu$_3$O$_7$ термомагнитная предыстория оказывает значительное влияние на диссипацию в подсистеме межгранульных границ в области полей до $\sim$10$^3$ Oe, в области полей, больших $\sim$10$^4$ Oe, этот эффект становится несущественным. Такое поведение объясняется влиянием магнитных моментов ВТСП-гранул на эффективное поле в межгранульной среде. Для висмутовых ВТСП влияния термомагнитной предыстории на резистивный переход не наблюдается, однако этот эффект проявляется на вольт-амперных характеристиках при больших плотностях транспортного тока. Есть кардинальное различие и в поведении изотерм магнитосопротивления $R(H)$ иттриевой и висмутовой систем. Для YBa$_2$Cu$_3$O$_7$ есть четкое разграничение режимов диссипации в межгранульной среде и гранулах, которое проявляется уже при малых величинах плотности транспортного тока в виде смены знака кривизны зависимости $R(H)$. Для текстуры на основе висмутового ВТСП эта особенность проявляется только при больших плотностях тока (сравнимых с критической при $H$ = 0). Такое различие в поведении магниторезистивных свойств исследованных классических ВТСП-систем объясняется относительно низкими величинами полей необратимости висмутовых ВТСП. В них возможны одновременные процесссы диссипации во внешнем поле и в подсистеме межкристаллитных границ и в самих кристаллитах.