Краткие сообщения

Влияние столкновительного уширения уровней Ландау на энергии акцепторного уровня в полумагнитных полупроводниках

В. М. Михеев

Институт физики металлов УНЦ АН СССР

УДК: 621.315.592

Поступила в редакцию: 02.02.1987

Реферативные базы данных:

•