Парамагнитные дефекты в нейтронно-облученных кристаллах фенакита

Проведены ЭПР-исследования радиационно-разупорядоченных кристаллов фенакита Be$_2$SiO$_4$ (флюенсы быстрых нейтронов (0.75, 1.0, 1.2, 6.6, 8.5) $\cdot$ 10$^{18}$ cm$^{-2}$). Установлено, что основные радиационные повреждения сосредоточены преимущественно в кремнекислородной подрешетке кристалла. Обнаружены вакансионные центры ($E'$-центры, $g$ = 2.0015), дефекты типа смещенного кислорода и дырочные O$^-$-центры. Сигнал парамагнитного поглощения с параметрами $g_x$ = 2.0218, $g_y$ = 2.0124, $g_z$ = 2.0027 идентифицирован как разновидность O$^-$-центра – комплекс [SiO$_4$]$^{3-}$. Интенсивные сигналы ЭПР с параметрами $g_x$ = 2.0526, $g_y$ = 2.0020, $g_z$ = 2.0066 и $g_x$ = 2.0290, $g_y$ = 2.0030, $g_z$ = 2.0099 приписаны двум типам центров молекулярного иона O$_2^-$ с различным локальным окружением. На основе сравнения данных ЭПР и оптической спектроскопии проведено обсуждение теоретических моделей радиационных центров.