RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2010, том 52, выпуск 4, страницы 709–717 (Mi ftt13685)

Эта публикация цитируется в 21 статьях

Магнетизм. Сегнетоэлектричество

Тонкие сегнетоэлектрические пленки: получение и перспективы интеграции

А. С. Сиговa, Е. Д. Мишинаa, В. М. Мухортовb

a Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики (Технический университет), Москва, Россия
b Южный научный центр РАН, г. Ростов-на-Дону

Аннотация: Рассматриваются свойства тонких пленок (Ba,Sr)TiO$_3$ и BiFeO$_3$ и наноструктур на их основе. Пленки изготавливаются методом высокочастотного распыления в атмосфере кислорода с повышенным давлением, наноструктуры – методом фокусированного ионного травления; электрическое поле прикладывается в планарной структуре встречно-штыревых электродов. Исследуются структура, диэлектрические, электро-оптические и нелинейно-оптические свойства полученных образцов в широком диапазоне толщин и частот электрического поля. Показана высокая эффективность планарного переключения и его влияния на оптические свойства полученных структур. Наноструктурирование позволяет изменять диэлектрические и оптические свойства исследуемых материалов и таким образом увеличивать диапазон переключения функциональных параметров.

Поступила в редакцию: 27.07.2009


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2010, 52:4, 762–770

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026