Особенности возникновения сегнетоэлектрической фазы в политипах кристаллов TlGaSe$_2$

Обнаружено, что политипия слоистых кристаллов TlGaSe$_2$ существенным образом влияет на температурное положение фазовых превращений, а также на механизм возникновения в этих сегнетоэлектриках полярного состояния. В частности, показано, что в политипе C-TlGaSe$_2$ сегнетоэлектрический фазовый переход является несобственным и происходит при температуре $T_c\approx$ 108 K, в то же время в политипе 2C-TlGaSe$_2$ такой переход является собственным и происходит при более высокой температуре $T_c\approx$ 111 K. Сделан вывод о том, что необходимым этапом исследования кристаллов TlGaSe$_2$ является выяснение принадлежности образцов к соответствующему политипу.