Аннотация:
Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в мозаичных пленках карбида кремния, выращенных методом твердотельной эпитаксии на кремниевых подложках. Определены основные политипы, составляющие материал пленки. Экспериментально обнаружено, что свойства пленки карбида кремния меняются после нанесения поверх нее пленки нитрида алюминия, что интерпретируется как проявление хороших демпфирующих свойств пленки SiC при выращивании на ней слоев других полупроводников.