Аннотация:
С помощью интеркаляционных технологий сформирована мультислойная структура с чередующимися полупроводниковыми (InSe) и молекулярно-нематическими (MN) нанопрослойками. Описаны стадии формирования структур InSe$\langle$MN$\rangle$ и представлены результаты исследования их физических свойств методом импедансной спектроскопии. Предложены структуры импедансных моделей и обоснована перспективность их использования как сверхвысокоемких варикондов и наноструктурированных элементов линий задержки, которые непосредственно могут быть инкорпорированы в наночипы.