NV$^-$ дефекты в карбиде кремния для квантовой магнитометрии

Спиновые и оптические свойства азотно-вакансионного дефекта (NV$^-$ дефекта) в алмазе легли в основу создания на его основе твердотельных квантовых магнитометров с оптической накачкой. Недавно значительный прогресс был достигнут в исследованиях NV- дефектов в SiC, являющимися прямыми аналогами NV$^-$ в алмазе. В данной работе представлены результаты исследования когерентных свойств NV-дефектов в кристаллах SiC с природным и пониженным содержанием магнитных ядер $^{29}$Si. Показано, что снижение концентрация магнитных изотопов кремния позволяет улучшить когерентные характеристики NV-центров. Проведен сравнительный анализ эффективного времени поперечной релаксации $(T_2^*)$ NV-дефектов в обеих типах матриц с целью оценки их пригодности для применения в квантовой магнитометрии, особенно в контексте недавнего прогресса в создании высокостабильных NV-дефектов в наноразмерных структурах SiC.