Влияние параметров дельта$\langle$Mn$\rangle$-легирования GaAs-барьера на циркулярно поляризованную люминесценцию гетероструктур GaAs/InGaAs

Исследована циркулярная поляризация низкотемпературной электролюминесценции диодов на основе гетероструктур с нелегированной квантовой ямой InGaAs/GaAs и дельта$\langle$Mn$\rangle$-слоем в GaAs-барьере. Изучена возможность изменения степени циркулярной поляризации электролюминесценции путем варьирования основных конструкционных параметров диодов (толщины спейсерного слоя, т. е. расстояния между дельта$\langle$Mn$\rangle$-слоем и квантовой ямой, концентрации атомов в дельта$\langle$Mn$\rangle$-слое, введения дополнительного акцепторного дельта-слоя). Найдено, что наиболее эффективным способом управления степенью циркулярной поляризации электролюминесценции является изменение толщины спейсерного слоя.