RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика твердого тела // Архив

Физика твердого тела, 2009, том 51, выпуск 3, страницы 547–553 (Mi ftt14107)

Эта публикация цитируется в 7 статьях

Магнетизм. Сегнетоэлектричество

Диэлектрические свойства перовскитной керамики Bi(Mg$_{1/2}$Ti$_{1/2}$)O$_3$ по данным импеданс-спектроскопии

Н. М. Олехновичa, А. Н. Салакa, А. В. Пушкаревa, Ю. В. Радюшa, Н. П. Вышаткоa, Д. Д. Халявинa, V. M. Ferreirab

a Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Белоруссия
b Department of Civil Engineering / CICECO, University of Aveiro, Aveiro, Portugal

Аннотация: Приводятся результаты исследования диэлектрических свойств метастабильной перовскитной керамики высокого давления Bi(Mg$_{1/2}$Ti$_{1/2}$)O$_3$ по импеданс-спектрам в диапазоне частот 25–10$^6$ Hz, измеренным при различных температурах. Установлено, что при температурах выше $\sim$450 K в диэлектрический отклик указанной керамики значительный вклад вносит электропроводность постоянного тока. Из температурной зависимости удельной проводимости постоянного тока $(\sigma_{dc})$ определена энергия активации носителей заряда $(\Delta E_{dc})$. С повышением температуры величина $\Delta E_{dc}$ изменяется скачком от 0.12 до 1.00 eV при $T\sim$ 450 K. С учетом вклада $\sigma_{dc}$ определены составляющие комплексного электрического модуля ($M'_{ac}$ и $M''_{ac}$), связанные только с диэлектрической поляризацией. Из анализа диаграмм $M''_{ac}$$M'_{ac}$ оценены вклады в диэлектрическую поляризацию зерен керамики и их границ. Полученные данные интерпретируются исходя из химического состава керамики Bi(Mg$_{1/2}$Ti$_{1/2}$)O$_3$ и наличия дефектов кристаллической решетки, образующихся в процессе синтеза под давлением. На основании анализа температурных зависимостей диэлектрической проницаемости зерен керамики и антипараллельных смещений катионов Bi$^{3+}$ сделано предположение об антисегнетоэлектрическом характере дипольного упорядочения в данном перовскитном соединении.

Поступила в редакцию: 09.07.2008


 Англоязычная версия: Physics of the Solid State, 2009, 51:3, 582–588

Реферативные базы данных:


© МИАН, 2026