Особенности низкочастотной дисперсии диэлектрической проницаемости одноосного сегнетоэлектрика с заряженными дефектами

Рассмотрено влияние точечных заряженных дефектов на динамику параметра порядка в сегнетоэлектрике с одной осью спонтанной поляризации при учете дебаевского экранирования. Показано, что большая величина радиуса Дебая, определяющего один из характерных размеров пространственной неоднородности параметра порядка вблизи заряженного дефекта, проявляется в сильной аномалии мнимой части диэлектрической проницаемости на частотах, гораздо меньших фононных. Вклад заряженных дефектов на низких частотах по крайней мере на два порядка больше соответствующего вклада дипольных дефектов и может на порядок превышать мнимую часть диэлектрической проницаемости бездефектного кристалла. На основе полученных результатов проведено обсуждение центрального пика, наблюдавшегося в германате свинца.