Спиновая динамика носителей в квантовых ямах GaAs/AlGaAs при наличии латерально локализующего электрического потенциала

Методом фотоиндуцированного магнитооптического эффекта Керра изучена динамика спиновой ориентации в квантовой яме GaAs, находящейся в латерально неоднородном электрическом потенциале, создаваемом мозаичным электродом, нанесенным на поверхность образца. Установлено, что приложение к электроду отрицательного потенциала, большего 1 V, сопровождается более чем стократным увеличением времени жизни спиновой поляризации в исследуемом образце. Сделан вывод, что причиной столь резкого замедления релаксации является совместное действие двух эффектов: пространственного разнесения электрона и дырки, приводящего к уменьшению скорости излучательной рекомбинации электрон-дырочной пары, и локализации электрона, сопровождающейся подавлением процессов спиновой релаксации, связанных с его движением.