Магнетосопротивление случайно неоднородных твердотельных систем в переменных электрических полях

Рассмотрены системы, в которых можно ввести локальные значения кинетических коэффициентов. Методом эффективной среды получено уравнение для вычисления тензора динамической проводимости системы в слабых магнитных полях H, параллельных оси Oz для частот ${\omega<\tau^{-1}}$ ($\tau$ — среднее время свободного пробега электрона). Для полупроводника с диэлектрическими включениями вычислены изменения диагональных компонент тензора проводимости ${\Delta\sigma^{\alpha\alpha}_{m}(\omega)\sim H^{2}}$. Используя связь между компонентами тензоров проводимости и сопротивления в магнитном поле, найдена частотная зависимость магнитосопротивления системы ${\Delta\rho^{\alpha\alpha}_{m}(\omega)/\rho^{0}_{m}(\omega)\sim H^{2}}$. Получено, что в окрестности частоты ${\omega_{0}\simeq(3\tau_{M})^{-1}}$ ($\tau_{M}$ — максвелловское время релаксации, ${\tau_{M}\gg\tau}$) при увеличении частоты $\omega$ величина ${\Delta\rho^{zz}_{m}(\omega)/\rho^{0}_{m}(\omega)}$ падает от низкочастотного плато значений к нулю, а величина ${\Delta\rho^{xx}_{m}(\omega)/\rho^{0}_{m}(\omega)}$ может в зависимости от характеристик системы как увеличиваться, так и уменьшаться, переходя от низкочастотного к высокочастотному плато значений. Во всей области частот ${\Delta\rho^{zz}_{m}(\omega)>\rho^{xx}_{m}(\omega)}$.