Акустические свойства полупроводников в режиме прыжковой проводимости

Рассмотрены вклады в поглощение и скорость ультразвука в легированных и некристаллических полупроводниках, обусловленные прыжками электронов между локализованными состояниями. При достаточно низких температурах указанные вклады могут превышать вклады свободных носителей. Проанализированы зависимости поглощения и скорости ультразвука от его частоты, от температуры, а также от внешнего магнитного поля. Рост последнего приводит к убыванию прыжкового поглощения и добавки к скорости звука. Указанная зависимость позволяет выделить интересующий нас механизм на фоне других.