Термодинамика кристалла с дефектами в трикритической области диаграммы состояний

В работе теоретически исследуется совместное влияние флуктуаций параметра порядка и конфигурационной неупорядоченности на термодинамику системы в окрестности трикритической точки. В рамках метода реплик с помощью техники дополнительных вершин выведены уравнения ренормализационной группы для пяти существенных в данной задаче инвариантных зарядов. Показано, что при затравочных значениях зарядов отвечающих (в идеальном кристалле) трикритическому сектору и сектору слабовыраженных переходов первого рода, наблюдается эффект убегания фазовых траекторий (runaway). Этот эффект интерпретируется как признак размытия фазовых переходов и свидетельство разрушения трикритической точки конфигурационным беспорядком.