Р. А. Бабунц, Н. Г. Романов, Д. О. Толмачев, А. Г. Бадалян, В. А. Храмцов, П. Г. Баранов, D. Rauh, V. Dyakonov, “Идентификация рекомбинирующих центров в широкозонных кристаллах и наноструктурах на их основе по спин-зависимому туннельному послесвечению”, Физика твердого тела, 2009, том 51, выпуск 12,страницы 2296

Эта публикация цитируется в 4 статьях

Полупроводники. Диэлектрики

Идентификация рекомбинирующих центров в широкозонных кристаллах и наноструктурах на их основе по спин-зависимому туннельному послесвечению

Р. А. Бабунц^a, Н. Г. Романов^a, Д. О. Толмачев^a, А. Г. Бадалян^a, В. А. Храмцов^a, П. Г. Баранов^a, D. Rauh^b, V. Dyakonov^b

^a Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, г. Санкт-Петербург
^b Experimental Physics VI, Faculty of Physics and Astronomy, University of Würzburg, Am Hubland, Würzburg, Germany

Аннотация: Метод регистрации электронного парамагнитного резонанса по туннельному послесвечению использован для идентификации центров, участвующих в спин-зависимой рекомбинации в широкозонных кристаллических структурах диэлектрик-полупроводник KCl : AgCl, объемных кристаллах ZnO и квантовых точках на основе нанокристаллов ZnO. Длительное туннельное послесвечение возбуждалось кратковременным УФ-облучением образца при температурах жидкого гелия. Наблюдались магнитное тушение послесвечения при низких температурах вследствие больцмановской поляризации спинов рекомбинирующих центров и гигантское увеличение интенсивности послесвечения, стимулированное переориентацией спинов этих центров при электронном парамагнитном резонансе. С целью увеличения чувствительности и спектрального разрешения разработана и использована новая методика регистрации спектров на высокой частоте 94 GHz, применение которой позволило разделить электронные и дырочные центры в структурах KCl : AgCl, а также показать, что в квантовых точках ZnO : Al имеется два типа глубоких акцепторов.

Поступила в редакцию: 24.03.2009