Влияние типа и концентрации легирующей примеси на динамику бета-индуцированного изменения микротвердости кремния

Исследовано влияние типа и концентрации легирующей примеси (P, Sb, B) на динамику преобразования подсистемы структурных (собственных и радиационных) дефектов кремния в условиях низкоинтенсивного электронного облучения. Предложена качественная модель формирования комплексов вторичных радиационных дефектов, ответственных за максимумы бета-индуцированного разупрочнения монокристаллов кремния.