О природе тонкой структуры в спектрах решеточного отражения арсенида галлия

Измерены спектры отражения полуизолирующего нелегированного арсенида галлия в области полосы остаточных лучей. Исследовано влияние стехиометрии кристаллов на спектральный состав тонкой структуры максимума отражения, показано, что ее состав определяется состоянием дефектов в материале. Обнаружено исчезновение тонкой структуры максимума отражения после введения в материал атомарного водорода. Определены характеристические частоты осцилляторов, формирующих тонкую структуру.