Взаимодействие донорных и акцепторных экситонов с фононами в полупроводниках со структурой цинковой обманки и вюрцита

Исследовано экспериментально и теоретически взаимодействие фононов с экситонами, связанными с примесями $3d$-переходных металлов. На примере ZnSe, ZnS, CdS, ZnO, легированных Ni, показано, что экситон-фононное взаимодействие имеет локальный характер различно для донорных и акцепторных экситонов и существенно определяется симметрией основного состояния примеси. Приводятся значения фактора Пекара–Хуанга–Риса и типы нормальных мод кластеров $T_{d}$ и $C_{3v}$, с которыми взаимодействуют донорные и акцепторные экситоны. Проведено сравнение со случаем локализации экситонов на простых изоэлектронных центрах.