Электрофизические свойства и механизмы рассеяния носителей заряда в Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se

Исследованы коэффициент Холла, электропроводность, термоэдс, продольный и поперечный эффекты Нернста–Эттингсгаузена монокристаллов Zn$_{x}$Hg$_{1-x}$Se (${x\leqslant0.15}$) в интервале температур 77$-$300 K и магнитных полей до 15 кЭ.
Определены эффективные массы электронов на уровне Ферми $m^{*}$, изменение их с температурой. Показано, что для объяснения ${m^{*}=f (T)}$ необходимо учитывать не только коэффициент температурного изменения ширины запрещенной зоны ${d|E_{g}|/dT}$ и распределение носителей по непараболической зоне с изменением температуры и концентрации носителей, а также увеличение матричного элемента межзонного взаимодействия с ростом температуры.
Установлено, что в наиболее чистых образцах в области азотных температур 77 K процессы рассеяния существенно неупругие — основным механизмом рассеяния носителей заряда являются оптические фононы.