Нелинейное прыжковое поглощение ультразвука в полупроводниках

Рассмотрено релаксационное поглощение ультразвука в слаболегированных и некристаллических полупроводниках при низких температурах, когда за поглощение ответственны прыжки электронов между локализованными состояниями. Определена нелинейная часть поглощения в ситуации, когда амплитуда модуляции $d$ энергетических уровней электрона гораздо меньше самого расстояния между уровнями $E$, которое в свою очередь порядка температуры $T$. Показано, что в некоторых предельных случаях нелинейная часть поглощения определяется парами с малыми энергиями ${E^{*}\ll T}$. Рассмотрено влияние магнитного поля на нелинейную часть поглощения. Зависимости поглощения от интенсивности и магнитного поля позволяют выделить прыжковый механизм на фоне механизмов неэлектронного происхождения.