Аннотация:
Рассмотрены флуктуационные волны концентрации дефектов и создаваемых ими статических смещений в пленках упругоизотропных и анизотропных кристаллов. В рамках кинематической теории методом флуктуационных волн рассмотрено рассеяние рентгеновских лучей ограниченными дефектами в пленках или в приповерхностных слоях. Показано, что конечная толщина кристалла и релаксация полей смещений у поверхности может существенно влиять на распределения интенсивности у узлов обратной решетки. В случае очень тонких пленок дефекты малой мощности могут уширять брэгговские пики или приводить к очень интенсивному диффузному рассеянию.