Строение доменной границы в полупроводниковом сегнетоэлектрике

Исследовано влияние свободных электронов, понижающих энергию парафазы, на строение сегнетоэлектрической доменной границы. Если сегнетоэлектрическая корреляционная длина $\delta$ больше того дебаевского радиуса, который был бы в отсутствие ионной поляризуемости, то эффективная ширина границы превышает $\delta$. Это превышение возрастает по мере удаления то точки Кюри, и когда $\delta$ достигает критического значения, определяемого интенсивностью взаимодействия между электронной и сегнетоэлектрической системами, граница принимает вид парафазной прослойки. При дальнейшем понижении температуры ширина границы «срывается» к размеру $\delta$.