Рассеяние света свободными носителями в InP и в Ga$_{x}$In$_{1-x}$P

Экспериментально и теоретически изучено электронное рассеяние света в $n$-InP и $n$-Ga$_{x}$In$_{1-x}$P. Обнаружено сужение спектральной линии с ростом концентрации дефектов. При скрещенных поляризациях падающего и рассеянного света, когда основным механизмом рассеяния является рассеяние флуктуациями спиновой плотности, сужение объяснено, диффузией носителей. При параллельных поляризациях падающего и рассеянного света рассеяние связано с флуктуациями энергии релаксирующими вследствие электронной теплопроводности.